IPS118N10N G
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IPS118N10N G参数：MOSFET N-CH 100V 75A TO251-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
标准包装：1,500
系列：OptiMOS™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：75A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11.8毫欧@75A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@83µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：65nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4320pF@50V
功率-最大值：125W
安装类型：通孔
封装：TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：PG-TO251-3